Thyristor-Diode Modules--SIRECTIFIER

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型号 TYPE	电气特性Electrical Characteristics										封装外形 Package Style	Datasheet
	IT			VDRM	ITSM	VTO	rT	dv/dt	TVJM	RthJC
	ITRMS	ITVM @TC		/VRRM	45°C/10ms	VTO	rT	dv/dt	TVJM	per chip
	A	A	°C	V	A	V	mΩ	V/μs	°C	K/W
STD100GK20B	157	100	85	2000	1700	0.85	3.2	1000	125	0.22	Fig. 18	PDF
STD100GK22B	157	100	85	2200	1700	0.85	3.2	1000	125	0.22	Fig. 18	PDF
STD116GK08B	180	116	85	800	2250	0.8	2.4	1000	125	0.27	Fig. 18	PDF
STD116GK12B	180	116	85	1200	2250	0.8	2.4	1000	125	0.27	Fig. 18	PDF
STD116GK14B	180	116	85	1400	2250	0.8	2.4	1000	125	0.27	Fig. 18	PDF
STD116GK16B	180	116	85	1600	2250	0.8	2.4	1000	125	0.27	Fig. 18	PDF
STD116GK18B	180	116	85	1800	2250	0.8	2.4	1000	125	0.27	Fig. 18	PDF
STD181GK08B	284	181	85	800	6000	0.8	1.6	1000	125	0.155	Fig. 18	PDF
STD181GK12B	284	181	85	1200	6000	0.8	1.6	1000	125	0.155	Fig. 18	PDF
STD181GK14B	284	181	85	1400	6000	0.8	1.6	1000	125	0.155	Fig. 18	PDF
STD181GK16B	284	181	85	1600	6000	0.8	1.6	1000	125	0.155	Fig. 18	PDF
STD181GK18B	284	181	85	1800	6000	0.8	1.6	1000	125	0.155	Fig. 18	PDF
STD181GK20B	284	181	85	2000	6000	0.8	1.6	1000	125	0.155	Fig. 18	PDF
STD181GK22B	284	181	85	2200	6000	0.8	1.6	1000	125	0.155	Fig. 18	PDF
SDT25G08P	39	25	85	800	420	0.85	11	1000	125	1.68	Fig. 18	PDF
SDT25G12P	39	25	85	1200	420	0.85	11	1000	125	1.68	Fig. 18	PDF
SDT25G14P	39	25	85	1400	420	0.85	11	1000	125	1.68	Fig. 18	PDF
SDT25G16P	39	25	85	1600	420	0.85	11	1000	125	1.68	Fig. 18	PDF
SDT25G18P	39	25	85	1800	420	0.85	11	1000	125	1.68	Fig. 18	PDF
SDT70GK08P	110	70	85	800	1600	0.85	3.7	1000	125	0.45	Fig. 18	PDF

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